Pat

J-GLOBAL ID：200903069418409423

発光素子と発光素子の製造方法

Inventor： 畑 雅幸
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995284073
Publication number (International publication number)：1997129922
Application date： Oct. 31, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】 接触抵抗を小さくすることが可能な発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 基板1上に形成された第1導電型の半導体層2、3と、第1導電型の半導体層2、3上に形成された第2導電型の半導体層5、6と、第2導電型の半導体層5、6側から第1導電型の半導体層2、3に達する凹部と、第2導電型の半導体層6上に設けられた第2導電型側透光性電極8と、を備え、凹部7の側壁上に絶縁膜9が形成されると共に、凹部7に露出した第1導電型の半導体層2上及び絶縁膜9上に連なって第1導電型側電極11が形成される。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上に形成された第1導電型の半導体層と、該第1導電型の半導体層上に形成された第2導電型の半導体層と、該第2導電型の半導体層側から上記第1導電型の半導体層に達する凹部と、前記第2導電型の半導体層上に設けられた第2導電型側電極と、を備え、前記凹部の側壁上に絶縁膜が形成されると共に、該凹部に露出した第1導電型の半導体層上及び前記絶縁膜上に連なって第1導電型側電極が形成されていることを特徴とする発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-234685   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 光半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-332086   Applicant：スタンレー電気株式会社