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J-GLOBAL ID：200903047694703790

半絶縁性GaNおよびその製造方法

Inventor： ヴァウドー,ロバート,ピー. ,  シュー,シュエピング ,  ブランデス,ジョージ アール.
Applicant, Patent owner： クリー インコーポレイテッド
Agent (3)： 稲葉 良幸 ,  大賀 眞司 ,  大貫 敏史
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006518986
Publication number (International publication number)：2007534580
Application date： Jun. 29, 2004
Publication date： Nov. 29, 2007
Summary：

電子および/または光電子用途用のGaNデバイスを作製するための基板を形成するために有用に用いられる大面積単結晶半絶縁性窒化ガリウムを開示する。大面積半絶縁性窒化ガリウムは、たとえばMn、Fe、Co NiおよびCuなどの深いアクセプタドーパント種で、成長している窒化ガリウム材料をその成長中にドープして、窒化ガリウムにおけるドナー種を補償しかつ窒化ガリウムに半絶縁特性を付与することによって、容易に形成される。

Claim (excerpt)：

大面積単結晶半絶縁性窒化ガリウム。

IPC (6)：

C30B 29/38 ,  C23C 16/34 ,  H01L 29/201 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (4)：

C30B29/38 D ,  C23C16/34 ,  H01L29/201 ,  H01L29/80 H

F-Term (52)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB11 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EB01 ,  4G077EB06 ,  4G077ED01 ,  4G077ED06 ,  4G077EG22 ,  4G077EH01 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB02 ,  4G077TC01 ,  4G077TC02 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4G077TC10 ,  4G077TJ02 ,  4G077TJ03 ,  4G077TJ04 ,  4G077TK01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030LA14 ,  5F045AA02 ,  5F045AA06 ,  5F045AB14 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 高電子移動度トランジスタ及び電力増幅器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-179544   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-196751   Applicant：日本電気株式会社