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J-GLOBAL ID：200903047721512012

III-V族窒化物半導体素子

Inventor：
セルジュ・エル・ラダズ

About セルジュ・エル・ラダズ


Applicant, Patent owner：
ヒューレット・パッカード・カンパニー

About ヒューレット・パッカード・カンパニー


Agent (1)： 上野 英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997236876
Publication number (International publication number)：1998093137
Application date： Sep. 02, 1997
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：
【要約】【課題】青色系発光素子の製造において、窒化ガリウム(GaN)ベースの化合物をサファイア基板上にバッファ層を入れてエピタキシャル成長させる。しかし基板とAlGaInNデバイス層との間には、やはり大幅な格子定数の差が存在しデバイス層の中に亀裂が生じることがある。【解決手段】いくつかのサブ・レーヤを備えたNタイプの化合物デバイス層を製造することによって実現する。所望の各電気特性または特質毎に対応するNタイプのドープサブ・レーヤが設けられる。各サブ・レーヤの厚さは材料の亀裂を回避するように慎重に選択され、必要とされるドーピング量が増すほど対応する厚さは薄くする。
Claim (excerpt)：
以下(a)および(b)を含むことを特徴とするデバイス、(a)基板と、(b)基板上に配置される(AlxGa1-x)yIn1-yNの化合物デバイス層であって、該化合物デバイス層は、第1と第2のサブ・レーヤを含んでおり、各サブ・レーヤは対応する物理的特性に合わせて選択された関連する組成、厚さ、及び、ドーピング・レベルを有しており、前記サブ・レーヤのそれぞれに関連した組成及び厚さは、材料の亀裂を最小限に抑えるように念入りに調整されていて、前記サブ・レーヤのドーピングが増すほど、対応する前記サブ・レーヤの厚さが薄くなる。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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