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J-GLOBAL ID：200903090304541916
窒化物半導体レーザ素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995317845
Publication number (International publication number)：1996228048
Application date： Dec. 06, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 窒化物半導体を用いたレーザ素子を実現し、特に紫外〜緑色領域で発振する短波長レーザを実現する。【解決手段】 基板1上に、少なくともn型窒化物半導体よりなる第一のn型クラッド層5と、その第一のクラッド層に接してインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなる活性層6と、その活性層に接してp型窒化物半導体よりなる第一のp型クラッド層7とが順に積層された構造を有し、さらにp型窒化物半導体側からエッチングされて同一面側に正、負一対の電極が取り出された構造を備える窒化物半導体レーザ素子であって、前記第一のn型クラッド層5の外側に、互いに組成の異なる2種類の窒化物半導体層が積層されてなるn型の多層膜44を光反射膜として備え、さらにそのn型の多層膜は、最も基板側に近いエッチング面(図6のA面)よりもp型窒化物半導体層に近い位置に形成される。
Claim (excerpt)：
基板上に、少なくともn型窒化物半導体よりなる第一のクラッド層と、その第一のクラッド層に接してインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなる活性層と、その活性層に接してp型窒化物半導体よりなる第一のp型クラッド層とが順に積層された構造を有し、さらにp型窒化物半導体側からエッチングされて同一面側に正、負一対の電極が取り出された構造を備える窒化物半導体レーザ素子であって、前記第一のn型クラッド層の外側に、互いに組成の異なる2種類の窒化物半導体層が積層されてなるn型の多層膜を光反射膜として備え、さらにそのn型の多層膜は、最も基板側に近いエッチング面の水平面よりもp型窒化物半導体層に近い位置に形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
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半導体発光素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-203084
Applicant：日本電信電話株式会社
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特開平3-291985
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化合物半導体の成長方法、化合物半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-045809
Applicant：シャープ株式会社
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