シリコン酸化膜の形成方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北野好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998168923
Publication number (International publication number)：2000003911
Application date： Jun. 16, 1998
Publication date： Jan. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】低温でCVD法により薄く形成する場合であっても大きい絶縁耐力を得ることができるシリコン酸化膜の形成方法を提供する。また、記録ビットの微細化に対応しうる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】有機シランガスと酸素とを用いたプラズマCVD法によりシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜の形成方法であって、酸素に対する有機シランガスの流量比を0.0001〜0.05とし、励起周波数を10〜150kHzとして、基板上10にシリコン酸化膜14、20を形成する。

Claim (excerpt)：

有機シランガスと酸素とを用いたプラズマCVD法によりシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜の形成方法であって、酸素に対する有機シランガスの流量比を0.0001〜0.05とし、励起周波数を10kHz〜150kHzとして、基板上にシリコン酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 , C23C 16/42 , C23C 16/50 , G11B 5/39 , H01L 43/12

FI (5)：

H01L 21/316 X , C23C 16/42 , C23C 16/50 , G11B 5/39 , H01L 43/12

F-Term (21)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030FA01 , 4K030JA05 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030JA18 , 5D034BA15 , 5D034BB03 , 5D034DA07 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BF07 , 5F058BF25 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BF80 , 5F058BH11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

化学気相成長装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-109857 Applicant：株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社
半導体装置の製造方法及び製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-068857 Applicant：川崎製鉄株式会社
磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-292195 Applicant：富士通株式会社

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