半導体レーザ装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002187558
Publication number (International publication number)：2003086882
Application date： Jun. 27, 2002
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】比較的容易に製造できて、しかも、戻り光を光出射軸方向に反射しない半導体レーザ装置を提供すること。【解決手段】サブマウントの前端面4をサブマウントの厚み方向に傾斜させ、サブマウントの前端面のレーザチップ側の辺6と、レーザチップの光出射軸8とが直交するように、かつ、レーザチップの光出射端面5をサブマウントの辺6よりも所定長さ11に突出させて、サブマウント1上にレーザチップ2を搭載する。レーザチップ2の搭載位置は、光出射軸8方向のみを高精度に制御すれば定まるので、容易に半導体レーザ装置を製造できる。

Claim (excerpt)：

サブマウントと、このサブマウント上にダイボンドされたレーザチップとを備える半導体レーザ装置において、上記サブマウントの前端面の上記レーザチップ側の辺が、上記レーザチップの光出射軸と直交して、かつ、上記サブマウントの前端面は、そのサブマウントの厚さ方向に傾斜した平面あるいは曲面であって、戻り光を上記光出射軸の方向と異なる方向に反射することを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 5/022 , H01L 21/52

FI (2)：

H01S 5/022 , H01L 21/52 A

F-Term (9)：

5F047AA19 , 5F047AB00 , 5F047CA08 , 5F073BA06 , 5F073EA26 , 5F073FA13 , 5F073FA17 , 5F073FA23 , 5F073FA27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭64-024488
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-312909 Applicant：シャープ株式会社
光学装置及び光学システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-025452 Applicant：日本ビクター株式会社

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