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J-GLOBAL ID：200903047789139859

半導体装置の製造方法

Inventor： 野口 純司 ,  今井 俊則 ,  丸山 裕之
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001126995
Publication number (International publication number)：2002324837
Application date： Apr. 25, 2001
Publication date： Nov. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】 SiOC膜の比誘電率を上昇させることなく、銅ダマシン配線を形成することのできる技術を提供する。【解決手段】 配線形成用の絶縁膜22を構成するSiOC膜の表面に10〜50nm程度の厚さのシリコン酸化膜23を形成した後、絶縁膜22に配線溝を形成するためのフォトレジスト膜24をシリコン酸化膜23上に形成することによって、SiOC膜の比誘電率の上昇を抑える。

Claim (excerpt)：

カーボンを含有するシリコン酸化膜の表面に10〜50nm程度のシリコン酸化膜を形成した後、前記シリコン酸化膜上にレジストを塗布することを特徴とする半導体装置の製造方法。

F-Term (33)：

5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK19 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS01 ,  5F033SS04 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033XX24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-108213   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-253769   Applicant：ソニー株式会社
• 絶縁膜の形成方法及び絶縁膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-000627   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-361106   Applicant：三菱電機株式会社