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J-GLOBAL ID：200903011558990640

絶縁膜の形成方法及び絶縁膜

Inventor：
松浦 正純

About 松浦 正純


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001000627
Publication number (International publication number)：2002203852
Application date： Jan. 05, 2001
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：
【要約】【課題】 膜中のSi-CnH2n+1結合がSi-OH結合へと変化することに伴う層間絶縁膜の誘電率の上昇を抑制し得る、絶縁膜の形成方法及び構造を得る。【解決手段】 下地絶縁膜2上に低誘電率の第1の層間絶縁膜3を形成し、第1の層間絶縁膜3上に第2の層間絶縁膜4を形成する。次に、銅配線が形成される予定の領域の上方が開口したパターンを有するフォトレジスト5を、第2の層間絶縁膜4上に形成する。フォトレジスト5をエッチングマスクに用いて第2の層間絶縁膜4及び第1の層間絶縁膜3をエッチングすることにより、凹部6が形成される。次に、酸素ガスプラズマ7を用いたアッシング処理によって、フォトレジスト5を除去する。かかるアッシング処理は、高周波電力が300W、雰囲気圧力が30Pa、酸素流量が100sccm、基板温度が25°Cのプラズマ形成条件下で実施される。
Claim (excerpt)：
(a)Si-CnH2n+1結合を含む絶縁膜を形成する工程と、(b)前記絶縁膜の主面上に、レジストを選択的に形成する工程と、(c)前記レジストで覆われていない部分の前記絶縁膜を除去することにより、前記絶縁膜の前記主面内に凹部を形成する工程と、(d)前記Si-CnH2n+1結合をSi-OH結合に変化させない条件下で、ガスプラズマを用いたアッシング処理を行うことによって、前記レジストを除去する工程とを備える、絶縁膜の形成方法。
IPC (7)：
H01L 21/316 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768
FI (8)：
H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 G ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/90 P
F-Term (41)：
2H096CA05 ,  2H096HA23 ,  2H096HA24 ,  5F004BD01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB26 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033RR24 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT01 ,  5F033TT04 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F046AA20 ,  5F046MA12 ,  5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BF46 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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