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J-GLOBAL ID：200903047898829440
半球状の粒状シリコンの成長方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
萩原 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996157284
Publication number (International publication number)：1997331042
Application date： Jun. 18, 1996
Publication date： Dec. 22, 1997
Summary：
【要約】【課題】 凹凸表面を有する導体を組み込んだ集積回路デバイスの形成方法を提供する。【解決手段】 半球状の粒状シリコン(HSG-Si)がプラズマデポジションによりポリシリコン上に形成される。HSG-Siのプラズマデポジションにおいては低圧化学気相デポジション(LPCVD)において使用されるよりも広い範囲の基板デポジション温度を使用できる。HSG-Siのプラズマデポジションは電子サイクロトロン共鳴化学気相デポジション(ECR-CVD)システムにおいて入力パワーレベルが100-1500Wの範囲で、合計圧力が5-60mTorrの間、および基板温度が600°C以下で行われる。シランと水素ガス混合物(H2 /SiH4 +H2 )内の水素の希釈率が約70-99%の間のシランと水素ガスの混合物がECR-CVDシステムにおいて使用される。ポリシリコン表面はHSG-Siのプラズマデポジションの前に自然の酸化物が清浄化される。
Claim (excerpt)：
主としてシリコンからなる導体が露出した基板をデポジションシステムに供給する工程と、前記デポジションシステム内にプラズマ領域を発生させる工程と、シリコンを含む少なくとも1つの反応性ガスを前記デポジションシステムに供給し、シリコンを含むイオンを前記デポジションシステム内に発生させ前記露出面に移動させる工程と、主としてシリコンからなる前記導体の前記露出面上にHSG-Siの層をデポジションする工程とから構成されることを特徴とするデバイスの作製方法。
IPC (6)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, C30B 29/06 504
, H01L 21/205
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 651
, C30B 29/06 504 A
, H01L 21/205
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 621 Z
Cited by examiner (2)
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凹凸表面の形成方法および凹凸表面基板
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-279149
Applicant：三洋電機株式会社
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半導体ウェーハの保護膜形成方法及び同装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-238344
Applicant：株式会社東芝
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