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J-GLOBAL ID：200903047992204038

半導体装置の製造方法

Inventor：
永野 隆史

About 永野 隆史


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997213718
Publication number (International publication number)：1998242081
Application date： Aug. 07, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 素子の微細化が進行しても、リーク電流を伴うことなく、浅い拡散層におけるシート抵抗の低減化を図る。【解決手段】 シリコンイオン62の注入によりコバルト膜61中にシリコン原子が打ち込まれると共に、コバルト/シリコン界面61aでのシリコン結晶が破壊される。この結晶破壊により、コバルトシリサイド膜へのシリサイド化反応で消費されるシリコン原子を結晶状態ではない原子として単独で存在する状態とし、シリサイド化反応の活性化エネルギーを減少させる。シリサイド化反応を短時間で終了させることができるので、コバルト膜61の表面酸化による膜厚の減少を防ぐと共に、シリサイド化反応に消費されるコバルトの量を減少させずに膜厚の厚いコバルトシリサイド膜を形成することができる。これによりコバルトシリサイド膜のシート抵抗値を小さくすることができる。
Claim (excerpt)：
シリコン材料により形成された半導体基板の表面に高融点金属膜を形成する工程と、前記高融点金属膜上から原子または分子のイオン注入を行うことにより前記高融点金属膜と前記半導体基板との界面の近傍領域の結晶を破壊させる工程と、前記高融点金属膜のシリサイド化のための熱処理を行うことにより高融点金属シリサイド層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (2)：
H01L 21/28 301 T ,  H01L 29/78 301 P
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 特開平3-021015
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-207344   Applicant：三菱電機株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-209591   Applicant：株式会社東芝
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