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J-GLOBAL ID：200903048047786256

プラズマ処理装置

Inventor：
中村 誠一

About 中村 誠一


Applicant, Patent owner：
住友金属工業株式会社

About 住友金属工業株式会社


Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994176981
Publication number (International publication number)：1995099098
Application date： Jul. 28, 1994
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：
【要約】【構成】 誘電体で構成された真空容器11の外側に対向電極12a、12bが配設され、真空容器11の内側中央部に試料台13が配設されたプラズマ処理装置において、恒温流体を循環させるための空洞部11aが真空容器11に形成されているプラズマ処理装置10。【効果】 真空容器11内壁の温度が付着膜の昇華温度より低い温度範囲になるように水の温度を設定することにより、プラズマの発生・消滅に伴って生じる真空容器11内壁の温度変動幅を小さくすることができ、真空容器11内壁に付着した付着膜が剥離してパーティクルになる防止することができる。また真空容器11内壁の温度が付着膜の昇華温度より高い温度範囲になるように水の温度を設定することにより、付着膜自体が真空容器11内壁に付着するのを防止することができ、パーティクルの発生を減少させることができる。
Claim (excerpt)：
誘電体で構成された真空容器の外側に対向電極が配設され、前記真空容器の内側中央部に試料台が配設されたプラズマ処理装置において、恒温流体を循環させるための空洞部が前記真空容器に形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (7)：
H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31
FI (4)：
H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/31 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • ECRドライエツチング装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-255178   Applicant：松下電器産業株式会社
  • 特開平4-289171
  • 特開平3-068773
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