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J-GLOBAL ID：200903048109935172

面発光半導体レーザ及びその製造方法

Inventor：
佐藤 崇広

About 佐藤 崇広

, 
坂田 肇

About 坂田 肇


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000328168
Publication number (International publication number)：2001251016
Application date： Oct. 27, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：
【要約】【課題】選択酸化層を有効に利用して、優れた熱特性を持ち、簡便なプロセスで作製できる電流狭窄構造を内蔵した面発光半導体レーザを実現する。【解決手段】面発光半導体レーザは、成長基板101上に形成される活性層領域113と、活性層領域113を挟んで垂直共振器を構成する上下2つのミラー層111、112と、活性層領域113の基板101と反対側に設けられた一部選択的に酸化されて絶縁化された選択酸化層114と、活性層領域113に電流を注入する為の電流注入手段121、122とから構成され、選択酸化層114をエッチングストップ層として選択酸化層114の上面又は中途まで半導体が除去されて形成された部分を有する。選択酸化層114が注入電流の電流狭窄層と電流注入手段121、122用の絶縁膜とを兼ねている。
Claim (excerpt)：
成長基板上に形成される活性層領域と、活性層領域を挟んで垂直共振器を構成する上下2つのミラー層と、活性層領域の前記基板と反対側上に設けられた一部選択的に酸化されて絶縁化された選択酸化層と、活性層領域に電流を注入する為の電流注入手段とから構成される面発光半導体レーザであって、前記選択酸化層をエッチングストップ層として選択酸化層の上面又は中途まで半導体が除去されて形成された部分を有し、選択酸化層が前記注入電流の電流狭窄層と前記電流注入手段用の絶縁膜とを兼ねていることを特徴とする面発光半導体レーザ。
IPC (2)：
H01S 5/183 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01S 5/183 ,  H01L 21/205
F-Term (20)：
5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA55 ,  5F045DA58 ,  5F045DA64 ,  5F045HA13 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073AB02 ,  5F073AB17 ,  5F073BA07 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA25 ,  5F073EA15 ,  5F073EA23
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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