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J-GLOBAL ID：200903048214796048

磁気素子およびその製造方法

Inventor： 中島 健太郎 ,  猪俣 浩一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000089616
Publication number (International publication number)：2001284679
Application date： Mar. 28, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 イオンミリング法等の物理的スパッタリングによるエッチング法の使用を極力抑えることにより製造する磁気素子と、その製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板1上に設けられた絶縁層12、17の接続孔12a、17a内に形成された強磁性トンネル接合されたTMR素子14の形状を、接続孔12a、17aの形状によって規定する。

Claim (excerpt)：

配線パターン上に形成された絶縁層と、この絶縁層の前記配線パターン上の所定個所に形成され前記配線パターンの表面に至る接続孔内に形成され前記配線パターンに接続されて第1強磁性層と第2強磁性層がトンネルバリアを介して積層された強磁性トンネル接合と、この強磁性トンネル接合に接続された接続プラグと、この接続プラグに接続された第2配線パターンを具備した磁気素子において、前記強磁性トンネル接合の形状は、前記接続孔の形状によって規定されていることを特徴とする磁気素子。

IPC (5)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/14 ,  H01F 41/32 ,  H01L 43/12

FI (5)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/14 ,  H01F 41/32 ,  H01L 43/12

F-Term (13)：

5D034BA03 ,  5D034BA08 ,  5D034BA15 ,  5D034BA30 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA10 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5E049CB01 ,  5E049CC01 ,  5E049GC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-335898   Applicant：株式会社日立製作所
• 強磁性トンネル接合素子を用いた装置、およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-353295   Applicant：ローム株式会社
• 強磁性トンネル接合ランダムアクセスメモリ、スピンバルブランダムアクセスメモリ、単一強磁性膜ランダムアクセスメモリ、およびこれらをつかったメモリセルアレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-264430   Applicant：富士通株式会社
• 強磁性トンネル効果膜を用いた磁気抵抗効果素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-246133   Applicant：日本電気株式会社