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J-GLOBAL ID：200903048285165103

III族窒化物半導体基板

Inventor：
吉田 丈洋

About 吉田 丈洋


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (1)： 油井 透
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005325162
Publication number (International publication number)：2007134461
Application date： Nov. 09, 2005
Publication date： May. 31, 2007
Summary：
【課題】基板加熱時の面内均熱性を確保でき、基板の取り扱いが容易であるIII族窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体基板であるGaN基板1の外周にはOF部2が形成されている。GaN基板1のIII族極性面4側の外周の面取り部6は、GaN基板1の円弧部になされ、OF部2には面取りが施されていない。GaN基板1の窒素極性面5側の外周の面取り部7は、GaN基板1のOF部2を含む全外周に亘ってなされており、面取り部7の面取り角度θ2は、30°を超え60°までの範囲で形成されている。窒素極性面5側の面取り部7の面取り角度θ2を30°を超え60°までと大きくすることにより、ピンセットなどでGaN基板1を拾い上げやすく、且つエピタキシャル成長時にサセプタと接触する窒素極性面5の接触面積が広くなり、基板加熱時の面内均熱性がよくなる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板円弧部のIII族極性面及び窒素極性面の両面側に面取りを有するIII族窒化物半導体基板であって、前記窒素極性面側の面取り部が、前記基板のオリエンテーションフラット部を含む全外周に亘って30°を超え60°までの角度で面取りがなされていることを特徴とするIII族窒化物半導体基板。
IPC (1)：
H01L 33/00
FI (1)：
H01L33/00 C
F-Term (3)：
5F041AA43 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (4)
  • 窒化ガリウムウエハ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-166904   Applicant：住友電気工業株式会社
  • 特開平2-076226
  • 特開平2-076226
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