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J-GLOBAL ID：200903079718009422

窒化ガリウムウエハ

Inventor： 平野 哲也 ,  中山 雅博
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001166904
Publication number (International publication number)：2002356398
Application date： Jun. 01, 2001
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】 これまで実在しなかった窒化ガリウムの円形ウエハを実用的な形にして初めて提供すること。【解決手段】 1016cm-3〜1020cm-3の濃度で酸素ドープされた六方晶系で{0001}面方位の窒化ガリウム単結晶よりなり透明であって独立した円形のウエハであって表面側と裏面側から外周部を5 ゚〜30 ゚の傾斜角でC面取りしたり、0.1〜0.5mmの半径のR面取りをする。方位を指定するOFを一つあるいは二つ付ける。

Claim (excerpt)：

六方晶系で{0001}面方位の窒化ガリウム単結晶よりなり、透明であって独立した円形のウエハであって表面側と裏面側から外周部を5 ゚〜30 ゚の傾斜角で面取りしたことを特徴とする窒化ガリウムウエハ。

IPC (2)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/304 621

FI (2)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/304 621 E

F-Term (11)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077TB02 ,  4G077TK11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 単結晶ウエハおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-305488   Applicant：アメリカンクリスタルテクノロジー
• GaN単結晶基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-171276   Applicant：住友電気工業株式会社
• III-V族化合物半導体ウエハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-297082   Applicant：住友電気工業株式会社
• III-V族化合物半導体ウェハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-132033   Applicant：住友電気工業株式会社
• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-218122   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-144151   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開昭61-146799
  
• 特開平2-076226
  
• 窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-016951   Applicant：日亜化学工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Free-standing GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy