半導体レーザの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998338173
Publication number (International publication number)：2000164969
Application date： Nov. 27, 1998
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】共振器端面の光学損傷破壊(COD)を抑制し、高出力動作時の信頼性が改善された半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】共振器端面110が保護膜340によって被覆されている半導体レーザの製造方法であって、該共振器端面110に存在する汚染物を低ダメージで除去し、該共振器端面110をクリーニングするクリーニング工程と、クリーニングした該共振器端面110上に、低ダメージで該保護膜340を堆積する堆積工程と、を包含する半導体レーザの製造方法。

Claim (excerpt)：

共振器端面が保護膜によって被覆されている半導体レーザの製造方法であって、該共振器端面に存在する汚染物を低ダメージで除去し、該共振器端面をクリーニングするクリーニング工程と、クリーニングした該共振器端面上に、低ダメージで該保護膜を堆積する堆積工程と、を包含する半導体レーザの製造方法。

F-Term (7)：

5F073AA84 , 5F073CA05 , 5F073CA14 , 5F073CB20 , 5F073DA33 , 5F073DA35 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-213200 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平3-101183
半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-322759 Applicant：日本電信電話株式会社

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