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J-GLOBAL ID：200903060064409768

半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 西谷 昭彦 ,  須郷 満 ,  玉村 敏昭 ,  板屋 義夫
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995322759
Publication number (International publication number)：1997162496
Application date： Dec. 12, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】 高出力、高信頼性の半導体レーザおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体界面に接する第1の薄膜をAl、Si、Ga、Tiからなる群から選択した元素の薄い窒化膜例えばAlN膜16により、および続く第2の薄膜をAl、Si、Ga、Tiからなる群から選択した元素の厚い酸化膜あるいは酸化窒化膜例えばAl2O3膜17により構成された2層のパッシベーション膜18を共振器端面の反射防止膜とする、あるいは反射防止膜および高反射膜19の第1層とする。さらに、パッシベーション膜18の一部または全部を、ECRプラズマ付着法により形成する。

Claim (excerpt)：

端面がパッシベーション膜によって被覆された半導体レーザにおいて、酸素を組成元素としない第1の材料からなり該端面に接する第2の薄膜と、酸素を組成元素とする第2の材料からなり該第1の薄膜の上に積層された第2の薄膜とから形成された積層膜を、該パッシベーション膜とすることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/314

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/314 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体レーザおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-304100   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平3-142892
  
• 半導体レーザ装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-258613   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平4-369885