半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003335966
Publication number (International publication number)：2005108875
Application date： Sep. 26, 2003
Publication date： Apr. 21, 2005
Summary：

【課題】1種類の金属をnMOSとpMOSのゲート電極に用いた良好な半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の一態様の半導体装置は、半導体基板(101)と、4価金属酸化物または4価金属酸化物とSiO2との混合物または4価金属酸化物とSiONとの混合物を主成分とする材料から構成されているゲート絶縁膜(105)と、4〜5.5eVの仕事関数を有する金属からなるゲート電極(115)と、を備え、前記ゲート絶縁膜は、前記半導体基板上でnMOS構造をなす場合にBを、前記半導体基板上でpMOS構造をなす場合にP及びAsの少なくとも一方を含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板と、 4価金属酸化物または4価金属酸化物とSiO2との混合物または4価金属酸化物とSiONとの混合物を主成分とする材料から構成されているゲート絶縁膜と、 4〜5.5eVの仕事関数を有する金属からなるゲート電極と、を備え、前記ゲート絶縁膜は、前記半導体基板上でnMOS構造をなす場合にBを、前記半導体基板上でpMOS構造をなす場合にP及びAsの少なくとも一方を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L21/8238 , H01L21/283 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L27/092 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78

FI (6)：

H01L27/08 321D , H01L21/283 C , H01L21/316 X , H01L29/78 301G , H01L29/78 301P , H01L29/58 G

F-Term (108)：

4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB24 , 4M104BB30 , 4M104BB39 , 4M104CC05 , 4M104DD16 , 4M104DD37 , 4M104DD65 , 4M104DD80 , 4M104DD84 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB04 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB13 , 5F048BB17 , 5F048BB20 , 5F048BF06 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG01 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F058BA06 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BF06 , 5F058BF25 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BH15 , 5F058BJ04 , 5F058BJ10 , 5F140AA01 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140AC23 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BC06 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD09 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BD17 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE15 , 5F140BE16 , 5F140BE19 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF06 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF13 , 5F140BF15 , 5F140BF16 , 5F140BF17 , 5F140BF18 , 5F140BF21 , 5F140BF24 , 5F140BF35 , 5F140BF37 , 5F140BF42 , 5F140BG04 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG38 , 5F140BG40 , 5F140BG51 , 5F140BG53 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ27 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140BK20 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CA02 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CC15 , 5F140CF04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-082614 Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (3)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-326583 Applicant：株式会社半導体先端テクノロジーズ
ドープジルコニアまたはジルコニア様の誘電体膜トランジスタ構造およびその堆積方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-142471 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-082614 Applicant：三菱電機株式会社

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