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J-GLOBAL ID：200903048423949676

フッ化物結晶及び光学部品並びに製造方法

Inventor：
大場 点

About 大場 点

, 
市崎 敏夫

About 市崎 敏夫


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998048415
Publication number (International publication number)：1998330114
Application date： Feb. 27, 1998
Publication date： Dec. 15, 1998
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、エキシマレーザに対する透過率が高く且つ高出力レーザに対する耐久性の優れたフッ化物結晶、その製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明のフッ化物結晶は、Zn,Cd,Pb,Li,Bi,Naから選択される少なくとも1種の原子を含み、含有量が10ppm以下であり、且つ135nmの光に対する内部透過率が70%以上であることを特徴とする。本発明のフッ化物結晶製造方法は、フッ化物原料にスカベンジャーを添加して行う精製工程を少なくとも1回行った後、精製した原料にスカベンジャーを添加してルツボ降下法により結晶成長させるフッ化物結晶の製造方法であって、前記スカベンジャーの添加量を、第1回の精製工程において前記原料の0.04〜0.1mol%以下とし、その後の精製工程及び結晶成長工程において添加するスカベンジャーの総添加量を前記添加量の10%〜50%とすることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
Zn,Cd,Pb,Li,Bi,Naから選択される少なくとも1種の原子を含み、その含有量が10ppm以下であり、且つ135nmの波長の光に対する内部透過率が70%以上であることを特徴とするフッ化物結晶。
IPC (5)：
C01F 11/22 ,  C01B 9/08 ,  C03C 3/32 ,  C30B 29/12 ,  G02B 1/02
FI (5)：
C01F 11/22 ,  C01B 9/08 ,  C03C 3/32 ,  C30B 29/12 ,  G02B 1/02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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