半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中野雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998272027
Publication number (International publication number)：2000101138
Application date： Sep. 25, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】 InxGayAlzN半導体結晶を用いた半導体発光素子において、共振面をへき開によって容易に製作できるようにし、さらに安価な基板コストで製作できるようにする。【解決手段】へき開性の良好なR面サファイア基板2を化学エッチング又はドライエッチングした後、R面サファイア基板2上に低抵抗のZnO膜3をc軸配向させる。ZnO膜3の上にn型GaNクラッド層4、p型GaN活性層5及びp型GaNクラッド層6を設け、その上面にSiO2膜7を形成する。ついで、SiO2膜7の中央部をエッチングによって開口し、ZnO膜3を露出させる。この後、R面サファイア基板2をスクライブしてへき開させ、ZnO膜3の露出部分の上に下部電極8を形成し、SiO2膜7を介してp型GaNクラッド層6の上面を上部電極9で覆う。

Claim (excerpt)：

基板主面に対して垂直なへき開面を有する、へき開性の良好な基板の上方にZnO膜を形成し、このZnO膜の上にInxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表わされる化合物半導体層を設けたことを特徴とする半導体発光素子。

F-Term (10)：

5F041AA11 , 5F041AA31 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA37 , 5F041CA40 , 5F041CA41 , 5F041CA46 , 5F041CA49

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

III 族窒化物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-163872 Applicant：富士電機株式会社
窒化物半導体の結晶成長方法およびレーザ素子の共振面の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-083446 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-106057 Applicant：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩

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