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J-GLOBAL ID：200903048491553179

有機半導体材料、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 竹村 千代子 ,  尾関 秀謙 ,  大久保 康 ,  北 弘志
Applicant, Patent owner： コニカミノルタホールディングス株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006177814
Publication number (International publication number)：2008010541
Application date： Jun. 28, 2006
Publication date： Jan. 17, 2008
Summary：

【課題】簡便なウェットプロセスで製造でき、トランジスタ特性に優れ、大気中あるいは高温、高湿度下においても経時安定性に優れた有機半導体材料、該有機半導体材料を含む有機半導体膜、該有機半導体膜を用いた有機薄膜トランジスタ、及び該有機薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。【解決手段】少なくとも一つのベンゼン環とこれに隣接した少なくとも2つの環からなる芳香族複素環が縮合した少なくとも3環以上の芳香族縮合環を部分構造として有し、且つ該芳香族縮合環にアルキル基またはアルキル基を有する置換基を有する化合物であることを特徴とする有機半導体材料。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

少なくとも一つのベンゼン環とこれに隣接した少なくとも2つの環からなる芳香族複素環が縮合した少なくとも3環以上の芳香族縮合環を部分構造として有し、且つ該芳香族縮合環にアルキル基またはアルキル基を有する置換基を有する化合物であることを特徴とする有機半導体材料。

IPC (4)：

H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40

FI (4)：

H01L29/28 250H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J

F-Term (81)：

4C050AA01 ,  4C050AA07 ,  4C050BB04 ,  4C050CC04 ,  4C050EE02 ,  4C050FF01 ,  4C050HH01 ,  4C050PA20 ,  4C071AA01 ,  4C071AA07 ,  4C071AA08 ,  4C071BB02 ,  4C071BB03 ,  4C071BB06 ,  4C071BB08 ,  4C071CC13 ,  4C071CC23 ,  4C071CC24 ,  4C071CC25 ,  4C071EE05 ,  4C071EE13 ,  4C071FF15 ,  4C071FF23 ,  4C071GG01 ,  4C071HH05 ,  4C071HH11 ,  4C071JJ01 ,  4C071LL10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA14 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE11 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK10 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 有機薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-215748   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特開平4-167561号公報
  
• αヘキサチエニールを含む製品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-039190   Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション
• 高分子薄膜およびそれを用いた高分子薄膜素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-199750   Applicant：住友化学工業株式会社
• 音楽再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-250543   Applicant：株式会社リコー

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

• THE MECHANISM OF THE REACTIONS OF HYDROCARBONS WITH SULFUR
• 2,7-Diphenyl[1]benzoselenopheno[3,2-b][1]benzoselenophene as a Stable Organic Semiconductor for a Hi
• Organic Field-Effect Transistors from Solution-Deposited Functionalized Acenes with Mobilities as Hi
• Stable and High Performance OFETs Based on DPh-BTBT
• Mass Spectrometry and Ionization Energies of Some Condensed-Ring
• Thiophene-Phenylene and Thiophene-Thiazole Oligomeric Semiconductors with High Field-Effect Transist
• 有機トランジスタの動作性向上技術 -材料開発 作製法 素子設計-, 20031127, 第1版, 第28頁-第31頁
• Novel liquid crystals based on [1]benzothieno[3,2- b ][1]benzothiophene

Cited by examiner (10)

• THE MECHANISM OF THE REACTIONS OF HYDROCARBONS WITH SULFUR
• 2,7-Diphenyl[1]benzoselenopheno[3,2-b][1]benzoselenophene as a Stable Organic Semiconductor for a Hi
• THE MECHANISM OF THE REACTIONS OF HYDROCARBONS WITH SULFUR
• 有機トランジスタの動作性向上技術 -材料開発 作製法 素子設計-, 20031127, 第1版, 第28頁-第31頁
• Organic Field-Effect Transistors from Solution-Deposited Functionalized Acenes with Mobilities as Hi
• Novel liquid crystals based on [1]benzothieno[3,2- b ][1]benzothiophene
• Stable and High Performance OFETs Based on DPh-BTBT
• Stable and High Performance OFETs Based on DPh-BTBT
• Mass Spectrometry and Ionization Energies of Some Condensed-Ring
• Thiophene-Phenylene and Thiophene-Thiazole Oligomeric Semiconductors with High Field-Effect Transist