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J-GLOBAL ID:200903057937217878

高分子薄膜およびそれを用いた高分子薄膜素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 久保山 隆 ,  中山 亨 ,  榎本 雅之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002199750
Publication number (International publication number):2004043544
Application date: Jul. 09, 2002
Publication date: Feb. 12, 2004
Summary:
【課題】有機トランジスタ、有機太陽電池などの薄膜素子用の薄膜として有用な新規な高分子薄膜を提供する【解決手段】液晶性を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が103〜108であり、かつ電子移動度またはホール移動度が10-5cm3/Vs以上である高分子を含み、膜厚が1nmから100μmの範囲にある高分子薄膜。上記高分子薄膜は、有機トランジスタ、有機太陽電池、光センサ、電子写真感光体、空間変調素子、フォトリフラクティブ素子など種々の高分子薄膜素子に用いることができる。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
液晶性を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が103〜108であり、かつ電子移動度またはホール移動度が10-5cm2/Vs以上である高分子を含み、膜厚が1nmから100μmの範囲にあることを特徴とする高分子薄膜。
IPC (2):
C08J5/18 ,  H01L31/04
FI (2):
C08J5/18 ,  H01L31/04 D
F-Term (17):
4F071AA22 ,  4F071AA39 ,  4F071AA51 ,  4F071AA58 ,  4F071AA61 ,  4F071AA62 ,  4F071AA65 ,  4F071AA81 ,  4F071AG21 ,  4F071AH12 ,  4F071BB02 ,  4F071BC02 ,  5F051AA11 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5F051GA04 ,  5F051GA05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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