電解メッキ方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999115686
Publication number (International publication number)：2000309896
Application date： Apr. 23, 1999
Publication date： Nov. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】電解メッキ法で用いる密着膜を除去することなくその表面に生成された金属酸化物を除去し、電解メッキ法による金属膜形成の際に、ボイド発生による埋め込み不良を生じることなく、良好なる金属膜のメッキ方法を提供し、信頼性の高い金属配線の形成を可能にする。【解決手段】電解メッキ法により下地金属(密着膜15)上に金属膜17を形成する工程を備えた電解メッキ方法において、電解メッキを行う前に下地金属の表面に形成された金属酸化物16のみを除去する前処理工程を備えた方法であり、金属酸化物16のみを除去する前処理薬液には、塩酸またはカルボキシル基を含む薬液としてシュウ酸もしくはクエン酸もしくはシュウ酸とクエン酸とを含む液を用いる。

Claim (excerpt)：

電解メッキ法により下地金属上に金属膜を形成する工程を備えた電解メッキ方法において、電解メッキを行う前に前記下地金属の表面に形成された金属酸化物のみを除去する前処理工程を備えたことを特徴とする電解メッキ方法。

IPC (6)：

C25D 5/34 , C23F 1/10 , C25D 3/38 101 , H01L 21/288 , H01L 21/306 , H01L 21/3205

FI (7)：

C25D 5/34 , C23F 1/10 , C25D 3/38 101 , H01L 21/288 E , H01L 21/306 F , H01L 21/88 K , H01L 21/88 B

F-Term (57)：

4K023AA19 , 4K023BA06 , 4K023CA01 , 4K024AA09 , 4K024AB08 , 4K024BA09 , 4K024BB12 , 4K024DA07 , 4K024GA16 , 4K057WA01 , 4K057WB04 , 4K057WB11 , 4K057WB15 , 4K057WE08 , 4K057WE13 , 4K057WE14 , 4K057WG02 , 4K057WG03 , 4K057WG10 , 4K057WK01 , 4K057WK06 , 4K057WM04 , 4K057WM18 , 4K057WN01 , 4M104BB04 , 4M104BB32 , 4M104DD23 , 4M104DD37 , 4M104DD42 , 4M104DD52 , 4M104FF16 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH20 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP15 , 5F033PP16 , 5F033PP27 , 5F033QQ20 , 5F033QQ48 , 5F033QQ94 , 5F033QQ98 , 5F043AA22 , 5F043BB15 , 5F043DD04 , 5F043DD12 , 5F043DD13 , 5F043EE03 , 5F043EE27 , 5F043EE36 , 5F043FF01 , 5F043GG02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-182635 Applicant：株式会社東芝
特開平3-105993
Cu/W基材のめっき処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-299842 Applicant：株式会社住友金属エレクトロデバイス

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