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J-GLOBAL ID：200903048533805505

電極-膜アセンブリの製造方法及びこの方法によって製造された電極-膜アセンブリを用いた燃料電池

Inventor：
張 ヒョク

About 張 ヒョク


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (1)： 須崎 正士 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001082609
Publication number (International publication number)：2001307751
Application date： Mar. 22, 2001
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：
【要約】【課題】 電極-膜アセンブリの製造方法及びこの方法によって製造された電極-膜アセンブリを用いた燃料電池を提供する。【解決手段】 水素イオン交換高分子膜上にスパッタリング法で触媒の金属粒子23をコーティングする段階と、続いてこの水素イオン交換高分子膜上に炭素粒子22をスパッタリングまたはアーク放電でコーティングしてナノ粒子の触媒層21を形成する段階と、引き続きこの水素イオン交換高分子膜を電極と接合させる段階とを含む。または、水素イオン交換高分子膜上に触媒の金属粒子23と炭素粒子22とを同時にスパッタリングしてコーティングしナノ粒子の触媒層21を形成する段階と、続いてこの水素イオン交換高分子膜を電極と接合させる段階とを含む。
Claim (excerpt)：
水素イオンの交換機能を有する水素イオン交換高分子膜の上に金属触媒の供給源をスパッタリングによってナノ粒子の金属触媒をコーティングする段階と、前記金属触媒がコーティングされた水素イオン交換高分子膜の上に、炭素の供給源をスパッタリングするか、またはアーク放電することによって、ナノ粒子の炭素のコーティング処理を施してナノ粒子触媒層を形成する段階と、前記ナノ粒子触媒層が形成された水素イオン交換高分子膜を電極と接合させる段階とを含むことを特徴とする電極-膜アセンブリの製造方法。
IPC (6)：
H01M 8/02 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/24 ,  C23C 14/34 ,  H01M 4/90 ,  H01M 8/10
FI (7)：
H01M 8/02 E ,  H01M 8/02 P ,  C23C 14/14 D ,  C23C 14/24 F ,  C23C 14/34 N ,  H01M 4/90 M ,  H01M 8/10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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