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J-GLOBAL ID：200903048540252864

半導体発光素子の製造方法

Inventor：
堀江 秀善

About 堀江 秀善

, 
太田 弘貴

About 太田 弘貴


Applicant, Patent owner：
三菱化学株式会社

About 三菱化学株式会社


Agent (1)： 釜田 淳爾 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999034575
Publication number (International publication number)：2000036634
Application date： Feb. 12, 1999
Publication date： Feb. 02, 2000
Summary：
【要約】【課題】 端面での界面準位密度を長期間にわたって安定に抑制することができる半導体発光素子を簡便な方法で製造すること。【解決手段】 第一導電型クラッド層、活性層及び第二導電型クラッド層を含む化合物半導体層を基板上に有する、共振器構造を備えた半導体発光素子の製造方法において;基板上に化合物半導体層を順次結晶成長した後、共振器端面を形成する工程、該端面上に第一不活性化層を形成する工程、該第一不活性化層にプラズマを照射する工程、および、プラズマ照射された第一不活性化層上にさらに第二不活性化層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
Claim (excerpt)：
第一導電型クラッド層、活性層及び第二導電型クラッド層を含む化合物半導体層を基板上に有する、共振器構造を備えた半導体発光素子の製造方法において、(1)基板上に化合物半導体層を順次結晶成長した後、共振器端面を形成する工程、(2)該端面上に第一不活性化層を形成する工程、(3)該第一不活性化層にプラズマを照射する工程、および、(4)プラズマ照射された第一不活性化層上にさらに第二不活性化層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (3)：
H01S 5/10 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205
FI (3)：
H01S 3/18 640 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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