Pat
J-GLOBAL ID:200903048604881909
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法並びにリードフレーム
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
秋田 収喜
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997129684
Publication number (International publication number):1998321661
Application date: May. 20, 1997
Publication date: Dec. 04, 1998
Summary:
【要約】【課題】 熱拡散板を有する樹脂封止型半導体装置の電気的信頼性が低下する。また、熱拡散板を有する樹脂封止型半導体装置の熱に対する信頼性が低下する。【解決手段】(1)熱拡散板1を有する樹脂封止型半導体装置であって、絶縁層2の一部を熱拡散板1の周縁部からその外側に引き出す。(2)熱拡散板1を有する樹脂封止型半導体装置であって、熱拡散板1、絶縁層2の夫々に貫通孔3を形成し、この貫通孔3を塞ぐように、絶縁層2の表面に接着層5を介在して半導体チップ4を固定する。(3)熱拡散板1を有する樹脂封止型半導体装置であって、熱拡散板1のチップ塔載面と対向するその裏面を0.45以上の算術平均粗さRaに設定する。
Claim (excerpt):
熱拡散板と、前記熱拡散板に固定された半導体チップと、前記半導体チップの外部端子に電気的に接続され、一部分が前記熱拡散板に絶縁層を介在して固定され、他部分が前記熱拡散板の周縁部からその外側に引き出されたインナーリードと、前記熱拡散板、前記半導体チップ、前記インナーリードの夫々を封止する樹脂封止体とを有する樹脂封止型半導体装置であって、前記絶縁層の一部が前記熱拡散板の周縁部からその外側に引き出されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (3):
H01L 21/60 301
, H01L 23/12
, H01L 23/50
FI (3):
H01L 21/60 301 B
, H01L 23/50 F
, H01L 23/12 J
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
-
リードフレーム及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-069739
Applicant:新光電気工業株式会社
-
多層リードフレーム及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-055558
Applicant:日立電線株式会社
Cited by examiner (2)
-
多層リードフレーム及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-055558
Applicant:日立電線株式会社
-
リードフレーム及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-069739
Applicant:新光電気工業株式会社
Return to Previous Page