光電変換装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：篠部正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997037207
Publication number (International publication number)：1998233517
Application date： Feb. 21, 1997
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】周縁導電部、光電変換素子または裏面電極の間の短絡の危険性の少ない、電極材のマイグレーションの起こりにくい光電変換装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁性の基板1上の少なくとも片側に第1電極層(電極l1、・・)、光電変換層Pおよび第2電極層(電極u1、・・)が積層されてなり、個別化されている光電変換素子が複数直列接続されてなる光電変換素子装置において、直接直列接続されていなくて、互いに隣接している前記光電変換素子の電極間には、および直列接続された光電変換素子と前記基板の周縁部にあり、これらの光電変換素子を囲む電極層または電極層と光電変換層の積層の周縁導電部fとの間には、電極層および光電変換層のいずれの層も存在しない分離線(g2、g3)を1または複数介在させる。

Claim (excerpt)：

絶縁性の基板上の少なくとも片側に第1電極層、光電変換層および第2電極層が積層されてなり、個別化されている光電変換素子が複数直列接続されてなる光電変換素子装置において、直接直列接続されていなくて、互いに隣接している前記光電変換素子の電極間には、および直列接続された光電変換素子と前記基板の周縁部にあり、これらの光電変換素子を囲む電極層または電極層と光電変換層の積層の周縁導電部との間には、電極層および光電変換層のいずれの層も存在しない分離線が1または複数介在していることを特徴とする光電変換装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体光電変換装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-116778 Applicant：ローム株式会社
太陽電池モジュール及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-257711 Applicant：鐘淵化学工業株式会社
薄膜太陽電池およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-220870 Applicant：富士電機株式会社

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