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J-GLOBAL ID:200903048655211363

可変トランスコンダクタンス回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (11): 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006110550
Publication number (International publication number):2007043654
Application date: Apr. 13, 2006
Publication date: Feb. 15, 2007
Summary:
【課題】3V程度の低電源電圧では1つの回路でgm最低値の5倍程度の可変範囲しか確保できず、消費電力、実装回路面積の増大が大きな課題となっていた。【解決手段】入力電圧信号(Vi)に対して線形な電流信号を出力する電圧-電流変換回路と、前記電流信号を入力して平方根圧縮された電圧信号に変換する第1および第2のMOSトランジスタ(M1,M2)と、前記平方根圧縮された電圧信号を線形電流信号に変換する第3および第4のMOSトランジスタ(M3,M4)とを有する可変gm回路において、第1および第2のMOSトランジスタ(M1,M2)のバイアス電流(Ia)と第3および第4のMOSトランジスタ(M3,M4)のバイアス電流(Ib)をそれぞれ変化させてgmを制御することで、1つの回路で20倍程度の可変が3V程度の低電源電圧で実現でき、前述の課題が解決できる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
入力電圧信号(Vi)に対して線形な電流信号を出力する電圧-電流変換回路と、 前記電流信号を入力して平方根圧縮された電圧信号に変換する第1および第2のMOSトランジスタ(M1,M2)と、 前記平方根圧縮された電圧信号を線形電流信号に変換する第3および第4のMOSトランジスタ(M3,M4)とを備え、 前記第1および第2のMOSトランジスタ(M1,M2)のバイアス電流(Ia)と前記第3および第4のMOSトランジスタ(M3,M4)のバイアス電流(Ib)をそれぞれ変化させてトランスコンダクタンスを制御する、 ことを特徴とする可変トランスコンダクタンス回路。
IPC (3):
H03G 3/10 ,  H03F 3/45 ,  H03F 3/68
FI (3):
H03G3/10 ,  H03F3/45 A ,  H03F3/68 Z
F-Term (37):
5J100AA03 ,  5J100AA19 ,  5J100AA23 ,  5J100AA26 ,  5J100BA05 ,  5J100BB02 ,  5J100BB07 ,  5J100BB21 ,  5J100BB22 ,  5J100BC03 ,  5J100BC04 ,  5J100CA29 ,  5J100DA06 ,  5J100EA02 ,  5J500AA01 ,  5J500AA12 ,  5J500AA56 ,  5J500AC35 ,  5J500AC36 ,  5J500AC37 ,  5J500AF15 ,  5J500AF20 ,  5J500AH10 ,  5J500AH25 ,  5J500AH29 ,  5J500AK05 ,  5J500AK07 ,  5J500AK33 ,  5J500AK42 ,  5J500AM08 ,  5J500AS08 ,  5J500AT02 ,  5J500DN05 ,  5J500DN15 ,  5J500DN23 ,  5J500DP02 ,  5J500LU02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (7)
  • 特開平1-317009
  • 対数変換回路
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-205486   Applicant:株式会社東芝
  • 可変利得回路
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2001-375812   Applicant:NECエレクトロニクス株式会社
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