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J-GLOBAL ID：200903048702251077

窒化物半導体素子

Inventor： 小崎 徳也 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997015171
Publication number (International publication number)：1998215029
Application date： Jan. 29, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【目的】 主として窒化物半導体よりなるレーザ素子の閾値を低下させて室温で長時間連続発振させることにより、信頼性が高く、効率に優れた窒化物半導体素子を実現する。【構成】 窒化物半導体素子において、基板上に設けられた窒化物半導体層に接して、該窒化物半導体層との格子定数不整差が±3%以上且つ膜厚が50Å以下の薄膜層を形成し、更に該薄膜層に接して、少なくともインジウムを含有する窒化物半導体よりなる活性層を形成してなることを特徴とする窒化物半導体素子。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体素子において、基板上に設けられた窒化物半導体層に接して、該窒化物半導体層との格子定数不整差が±3%以上且つ膜厚が50Å以下の薄膜層を形成してなり、更に該薄膜層に接して、少なくともインジウムを含有する窒化物半導体よりなる活性層を形成してなることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/0264 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 31/04 E ,  H01L 31/08 M