窒化物半導体レーザ素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996041793
Publication number (International publication number)：1997237932
Application date： Feb. 28, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【目的】窒化物半導体よりなるレーザ素子のしきい値電流を下げて室温での連続発振を目指す。【構成】 n型クラッド層とp型クラッド層との間に、それらのクラッド層よりも幅の狭いストライプ状の発振領域を有する活性層を有し、該活性層のストライプの両側面側に、活性層よりも屈折率の小さい窒化物半導体よりなる電流阻止層が設けられていることにより、実質的に屈折率導波型のレーザ素子となるためしきい値電流が下がり、さらに単一モードのレーザ光が得られる。

Claim (excerpt)：

n型クラッド層とp型クラッド層との間に、それらのクラッド層よりも幅の狭いストライプ状の発振領域を有する活性層を有し、該活性層のストライプの両側面側に、活性層よりも屈折率の小さい窒化物半導体よりなる電流阻止層が設けられていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

特開平2-219090
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-305257 Applicant：旭化成工業株式会社
特開平2-283085

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Cited by examiner (11)

特開平2-219090
特開平2-219090
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-305257 Applicant：旭化成工業株式会社

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