2つのメモリタイプの同じ集積回路上への集積

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：桑垣衛
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003506010
Publication number (International publication number)：2005520318
Application date： May. 07, 2002
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：

不揮発性メモリ(NVM)及びダイナミックナノクリスタルメモリ(DNM)が共に一つの半導体基板上に統合される。コントロールゲートと、埋め込まれたナノクリスタルまたは不連続な記憶素子を備えるコントロール誘電体が厚さの異なるトンネル誘電体を覆うように形成されて2つのメモリを形成する。ソース及びドレイン領域がトンネル誘電体に隣接する半導体基板の内部に形成される。種々の方法を用いて薄いトンネル酸化物及び厚いトンネル酸化物を最小限のプロセス工程を付加することにより形成することができる。

Claim (excerpt)：

第1誘電体、及び第1の複数の別個の記憶素子を備える第1メモリトランジスタと、前記第1誘電体よりも厚い第2誘電体、及び第2の複数の別個の記憶素子を備える第2メモリトランジスタとを有する半導体装置。

IPC (7)：

H01L27/10 , H01L21/8242 , H01L21/8247 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (4)：

H01L27/10 461 , H01L27/10 321 , H01L27/10 434 , H01L29/78 371

F-Term (13)：

5F083AD69 , 5F083EP17 , 5F083EP48 , 5F083EP49 , 5F083EP63 , 5F083HA02 , 5F083JA02 , 5F083JA04 , 5F083ZA14 , 5F101BA54 , 5F101BB02 , 5F101BD07 , 5F101BD30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-182849 Applicant：ソニー株式会社
酸化物領域を有する集積回路デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-142468 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

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