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J-GLOBAL ID：200903075420993426

酸化物領域を有する集積回路デバイス

Inventor： ジェフリー ケネス ハス ,  ダニエル ジョセフ マッキー ,  チャールズ ウォルター ピアース
Applicant, Patent owner： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000142468
Publication number (International publication number)：2000357689
Application date： May. 15, 2000
Publication date： Dec. 26, 2000
Summary：

【要約】【課題】 異なる厚さを有する酸化物層を形成させる方法を提供する。【解決手段】 本発明の集積回路デバイスは、フッ素をシリコンの格子内に注入し、その後通常の酸化物成長プロセスにより酸化物領域を形成する。この酸化物成長プロセスは、熱酸化プロセスあるいはシリコンのローカル酸化プロセスによる。本発明によるデバイスは、フッ素注入をうまく処理することにより異なる厚さを有する2つの酸化物層を形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

フッ素を基板内に注入して、この基板を熱処理して、酸化物層を形成したことを特徴とする酸化物領域を有する集積回路デバイス。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/265 W ,  H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-127256   Applicant：日本電気株式会社
• 素子分離方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-043678   Applicant：三洋電機株式会社
• 炭化珪素半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-028624   Applicant：富士電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-234718   Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社