半導体ウエハの裏面研削方法及び該方法に用いる粘着フィルム

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997168621
Publication number (International publication number)：1999016863
Application date： Jun. 25, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】表面に突起状物を有する半導体ウエハの裏面研削方法及び該方法に用いる粘着フィルムを提供する。【解決手段】半導体ウエハの表面に粘着フィルムを貼付して、半導体ウエハの裏面を研削し、次いで、粘着フィルムを剥離する半導体ウエハの裏面研削方法であって、該半導体ウエハの表面が電極及び不良回路識別マークから選ばれた少なくとも1種の高さ(A)10〜100μmの突起状物を有し、該粘着フィルムがショアーD型硬度40以下、厚み(B)250〜500μm(但し、4A≦B)である基材フィルムの片表面に、厚み(C)30〜100μm(但し、0.6A≦C)の紫外線照射により粘着力が低下する粘着剤層が形成され、裏面研削終了後、該粘着フィルムを剥離する前に紫外線を照射する半導体ウエハの裏面研削方法、及び該方法に用いる粘着フィルム。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハの回路形成表面に粘着フィルムを貼付して、半導体ウエハの裏面を研削し、次いで、粘着フィルムを剥離する半導体ウエハの裏面研削方法であって、該半導体ウエハの回路形成表面が電極及び不良回路識別マークから選ばれた少なくとも1種の高さ(A)10〜100μmの突起状物を有し、該粘着フィルムがショア-D型硬度40以下、厚み(B)250〜500μm(但し、4A≦B)である基材フィルムの片表面に、厚み(C)30〜100μm(但し、0.6A≦C)の紫外線照射により硬化して粘着力が低下する粘着剤層が形成され、裏面研削終了後、該粘着フィルムを剥離する前に紫外線を照射することを特徴とする半導体ウエハの裏面研削方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 321 , C09J 7/02

FI (2)：

H01L 21/304 321 B , C09J 7/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体用保護テープおよびその使用方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-162357 Applicant：株式会社東芝
ウエハ裏面研削用テープおよびその使用方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-330219 Applicant：三井東圧化学株式会社
特開昭61-010242

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