Pat
J-GLOBAL ID：200903048831278135

量子ドットの製造方法

Inventor：
江川 満

About 江川 満


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997239194
Publication number (International publication number)：1999087689
Application date： Sep. 04, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】 量子ドットの製造方法に関し、原料交互供給法を採用して量子ドットを成長させる場合、1.3〔μm〕帯で発光するInGaAs量子ドットを高密度で、且つ、均一に成長できるようにする。【解決手段】 第1の格子定数をもつ半導体下地であるGaAsバッファ層31上に三族有機金属原料と五族原料を交互に供給する工程を繰り返して第1の格子定数と異なる第2の格子定数をもつ三族-五族半導体薄膜、即ち、InGaAs濡れ層32、InGaAs濡れ層34などを形成し、量子ドット32A、量子ドット34Aなどを生成させる過程に於いて、厚さがD(D≧10〔nm〕)以上である第1の格子定数を有する半導体層であるGaAsスペーサ層33を挟んで量子ドットの生成をM(M>1)回繰り返す。
Claim (excerpt)：
第1の格子定数を有する半導体下地上に三族有機金属原料と五族原料を交互に供給する工程を繰り返して第1の格子定数と異なる第2の格子定数の有する三族-五族半導体薄膜を形成して量子ドットを生成させる過程に於いて、厚さがD(D≧10〔nm〕)以上である第1の格子定数を有する半導体層を挟んで量子ドットの生成をM(M>1)回繰り返すことを特徴とする量子ドットの製造方法。
IPC (3)：
H01L 29/66 ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/18
FI (3)：
H01L 29/66 ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM