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J-GLOBAL ID：200903048915823406
酸化物半導体電極の製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
山下 昭彦
, 岸本 達人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005285323
Publication number (International publication number)：2006310255
Application date： Sep. 29, 2005
Publication date： Nov. 09, 2006
Summary：
【課題】本発明は、色素増感型太陽電池に用いた場合に、エネルギー変換効率を向上させることが可能な酸化物半導体電極を歩留まり良く製造する方法を提供する。【解決手段】耐熱基板1上に有機物および金属酸化物半導体微粒子を含有する介在部形成用パターン2形成工程と、上記耐熱基板上および上記介在部形成用パターン上に、上記介在部形成用塗工液よりも金属酸化物半導体微粒子の固形分中の濃度が高い酸化物半導体層形成用層3形成工程と、介在部2’および酸化物半導体層3’を形成する焼成工程と、上記酸化物半導体層上に、第1電極層4を形成する第1電極層形成工程と、を行い、酸化物半導体電極用積層体を形成し、上記第1電極層上に基材を設ける基材形成工程を行うことにより、耐熱基板付酸化物半導体電極を形成し、上記耐熱基板付酸化物半導体電極から耐熱基板を剥離する剥離工程を行う。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
耐熱基板上に有機物および金属酸化物半導体微粒子を含有する介在部形成用塗工液をパターン状に塗布し、固化させて介在部形成用パターンを形成する介在部形成用パターン形成工程と、
前記耐熱基板上および前記介在部形成用パターン上に、前記介在部形成用塗工液よりも金属酸化物半導体微粒子の固形分中の濃度が高い酸化物半導体層形成用塗工液を塗布し、固化させて酸化物半導体層形成用層を形成する酸化物半導体層形成用層形成工程と、
前記介在部形成用パターンおよび酸化物半導体層形成用層を焼成することにより多孔質体とし、介在部および酸化物半導体層を形成する焼成工程と、
前記酸化物半導体層上に、第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、
を有することを特徴とする酸化物半導体電極用積層体の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
5F051AA14
, 5F051BA14
, 5F051CB13
, 5F051FA04
, 5F051GA03
, 5H032AA06
, 5H032AS09
, 5H032AS16
, 5H032BB02
, 5H032BB05
, 5H032BB07
, 5H032BB10
, 5H032CC14
Cited by applicant (3)
Cited by examiner (3)
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