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J-GLOBAL ID：200903065809070697

半導体電極の製造方法及び光化学電池

Inventor： 中林 正仁 ,  中田 安一
Applicant, Patent owner： リンテック株式会社
Agent (1)： 平木 祐輔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000376939
Publication number (International publication number)：2002184475
Application date： Dec. 12, 2000
Publication date： Jun. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】 光化学電池用の半導体電極の基板材料としてガラスだけでなく任意の光透過性基板を用いることができ、かつ実用性のある電流/電圧曲線を与える半導体電極の製造方法、及び前記半導体電極を用いた光化学電池を提供する。【解決手段】 耐熱性基板上に酸化物半導体及び/又はその前駆体を含む層を形成させ、これを加熱焼成して得られる酸化物半導体膜を、被転写基板上に転写することを特徴とする半導体電極の製造方法。

Claim (excerpt)：

耐熱性基板上に酸化物半導体及び/又はその前駆体を含む層を形成させ、これを加熱焼成して得られる酸化物半導体膜を、被転写基板上に転写することを特徴とする半導体電極の製造方法。

IPC (3)：

H01M 14/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 31/04

FI (3)：

H01M 14/00 P ,  H01L 21/28 Z ,  H01L 31/04 Z

F-Term (17)：

4M104BB36 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104DD99 ,  4M104GG05 ,  5F051AA12 ,  5F051AA14 ,  5F051BA15 ,  5F051BA18 ,  5F051CB11 ,  5F051GA02 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032AS19 ,  5H032EE17 ,  5H032HH05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光電変換材料用半導体、その製造方法及び太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-263949   Applicant：シャープ株式会社
• 色素増感型太陽電池、その製造方法およびこれを用いた携帯用機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-159178   Applicant：株式会社東芝