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J-GLOBAL ID:200903048917680696
成膜装置及び成膜方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000024256
Publication number (International publication number):2001220679
Application date: Feb. 01, 2000
Publication date: Aug. 14, 2001
Summary:
【要約】【課題】中空の容器の表面にCVD法により薄膜を形成させる成膜装置において、容器表面に成膜される膜の厚みを均一にし、また外部電極形状を変更することなく様々な容器形状に対応できる成膜装置及び成膜方法を提供する。【解決手段】成膜チャンバーが、内部に容器が収容可能な筒状のスペースを持つ導電性材料よりなる筒状の外部電極と、その外部電極の片方の端に設置され、少なくとも中央部が絶縁性材料よりなる天蓋と、もう一方の端に設置され排気口を持つ底蓋よりなり、内部電極が底蓋を通して成膜チャンバー内部に挿入されていることを特徴とする。
Claim (excerpt):
中空の容器の表面にCVD法により薄膜を形成させる成膜装置において、成膜チャンバーが、内部に容器が収容可能な筒状のスペースを持つ導電性材料よりなる筒状の外部電極と、その外部電極の片方の端に設置され、少なくとも中央部が絶縁性材料よりなる天蓋と、もう一方の端に設置され排気口を持つ底蓋よりなり、内部電極が底蓋を通して成膜チャンバー内部に挿入されていることを特徴とする成膜装置。
IPC (2):
FI (2):
C23C 16/505
, C08J 7/06 Z
F-Term (17):
4F006AA35
, 4F006AB76
, 4F006BA05
, 4F006CA07
, 4F006DA01
, 4K030CA15
, 4K030CA16
, 4K030EA06
, 4K030EA11
, 4K030FA01
, 4K030FA03
, 4K030KA08
, 4K030KA16
, 4K030KA30
, 4K030KA37
, 4K030KA45
, 4K030KA46
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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