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J-GLOBAL ID:200903048935777648

薄膜トランジスタ型基板及び薄膜トランジスタ型液晶表示装置及び薄膜トランジスタ型基板の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 伊藤 充
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004070113
Publication number (International publication number):2005258115
Application date: Mar. 12, 2004
Publication date: Sep. 22, 2005
Summary:
【課題】 エッチングによる残渣などの発生が、ほとんどない透明導電膜を備える薄膜トランジスタ型基板、及びその製造方法、及びその薄膜トランジスタ型基板を用いた液晶表示装置を提供する。【解決手段】 透明基板と、前記透明基板上に設けられたソース電極と、前記透明基板上に設けられたドレイン電極と、前記透明基板上に設けられた透明画素電極と、を具備してなる薄膜トランジスタ型基板において、前記透明画素電極が、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ニッケル、及び酸化ニオブから選ばれた一種又は二種以上の酸化物と、を含む透明導電膜であり、前記透明画素電極は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と電気的に接続している薄膜トランジスタ型基板、及びその製造方法、及びその薄膜トランジスタ型基板を用いた液晶表示装置である。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
透明基板と、 前記透明基板上に設けられたソース電極と、 前記透明基板上に設けられたドレイン電極と、 前記透明基板上に設けられた透明画素電極と、 を具備してなる薄膜トランジスタ型基板において、前記透明画素電極が、 酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ニッケル、及び酸化ニオブから選ばれた一種又は二種以上の酸化物、 を含む透明導電膜であり、前記透明画素電極が、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と電気的に接続していることを特徴する薄膜トランジスタ型基板。
IPC (6):
G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (6):
G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 338 ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 612Z ,  H01L29/78 612D
F-Term (64):
2H092HA03 ,  2H092JA24 ,  2H092KB14 ,  2H092MA05 ,  2H092MA13 ,  2H092MA18 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA08 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA03 ,  4K029BA45 ,  4K029BB02 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029FA07 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104FF13 ,  4M104GG20 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094EA04 ,  5C094FB02 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG45 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HM18 ,  5F110NN02 ,  5F110NN14 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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