薄膜形成装置及び薄膜形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：秋山敦 , 城田百合子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004065763
Publication number (International publication number)：2005256024
Application date： Mar. 09, 2004
Publication date： Sep. 22, 2005
Summary：

【課題】安定したプラズマを高効率に発生させて成膜を行うことができる薄膜形成装置を提供する。【解決手段】内部を真空に維持する真空容器11と、真空容器11に接続され真空容器11内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段80と、を備える薄膜形成装置としてのスパッタ装置1である。プラズマ発生手段80は、誘電体で形成された誘電体板83と、誘電体板83に隣接して設置されたアンテナ85a,85bと、アンテナ85a,85bを収容するアンテナ収容室80Aを誘電体板83とともに形成するケース体81と、アンテナ収容室80Aを真空状態に排気するための配管15a,真空ポンプ15とを有して構成されている。真空容器11の内部とアンテナ収容室80Aとが誘電体板83によって仕切られて独立した空間を形成している。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

内部を真空に維持する真空容器と、該真空容器に接続され前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、を備える薄膜形成装置であって、前記プラズマ発生手段は、誘電体で形成された誘電体壁と、該誘電体壁に隣接して設置されたアンテナと、該アンテナを収容するアンテナ収容室を前記誘電体壁とともに形成する蓋体と、前記アンテナ収容室を真空状態に排気するための減圧手段とを有して構成され、前記真空容器の内部と前記アンテナ収容室の内部とが前記誘電体壁によって仕切られて独立した空間を形成していることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (5)：

C23C14/34 , C23C14/58 , H01L21/205 , H01L21/285 , H01L21/31

FI (5)：

C23C14/34 Z , C23C14/58 Z , H01L21/205 , H01L21/285 S , H01L21/31 D

F-Term (25)：

4K029BA43 , 4K029BA46 , 4K029BB02 , 4K029CA05 , 4K029DC35 , 4K029DC39 , 4K029GA02 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB34 , 4M104BB36 , 4M104DD37 , 4M104DD39 , 4M104DD86 , 5F045AA19 , 5F045AB02 , 5F045AB31 , 5F045AB32 , 5F045DQ10 , 5F045EH11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

金属化合物薄膜の形成方法およびその形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-050256 Applicant：株式会社シンクロン
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-219323 Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (3)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-194887 Applicant：東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-246367 Applicant：株式会社東芝
金属化合物薄膜の形成方法およびその形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-050256 Applicant：株式会社シンクロン

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