Pat
J-GLOBAL ID：200903049121645550

半導体装置の製造方法

Inventor：
塩原 利夫

About 塩原 利夫

, 
新井 一弘

About 新井 一弘


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999007757
Publication number (International publication number)：1999288979
Application date： Jan. 14, 1999
Publication date： Oct. 19, 1999
Summary：
【要約】 (修正有)【解決手段】 配線回路基板の配線電極に半田を介して半導体素子の電極部を当接し、半田を加熱溶融して基板に半導体素子を接合し、次いでこの半導体素子の搭載された基板を金型キャビティー部にセットし、封止用樹脂組成物を溶融状態で金型のゲート部からキャビティー部に加圧下に導入して上記基板と半導体素子との空隙部に圧送、充填し、封止用樹脂組成物を硬化させて、上記基板と半導体素子との空隙部を樹脂封止するようにした半導体装置の製造方法であって、上記封止用樹脂組成物が(a)エポキシ樹脂、(b)硬化剤、(c)最大粒径が24μm以下の無機質充填剤を必須成分とし、(c)成分の含有量が組成物全体の50〜85重量%であり、成形温度での溶融粘度が200ポイズ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。【効果】 ボイド等の発生もなく、半田ボールを破損することもなく、短時間で効率よく、しかも簡単に樹脂封止を行うことができる。
Claim (excerpt)：
配線回路基板の配線電極に半田を介して半導体素子の電極部を当接し、半田を加熱溶融して基板に半導体素子を接合し、次いでこの半導体素子の搭載された基板を金型キャビティー部にセットし、封止用樹脂組成物を溶融状態で金型のゲート部からキャビティー部に加圧下に導入して上記基板と半導体素子との空隙部に圧送、充填し、封止用樹脂組成物を硬化させて、上記基板と半導体素子との空隙部を樹脂封止するようにした半導体装置の製造方法であって、上記封止用樹脂組成物が(a)エポキシ樹脂、(b)硬化剤、(c)最大粒径が24μm以下の無機質充填剤を必須成分とし、(c)成分の含有量が組成物全体の50〜85重量%であり、成形温度での溶融粘度が200ポイズ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/60 311 ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 ,  H01L 21/56
FI (4)：
H01L 21/60 311 S ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 C ,  H01L 21/56 E
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM