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J-GLOBAL ID：200903049148717707

固体撮像素子の製造方法

Inventor： 森山 和明 ,  松田 健
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 有吉 教晴
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002255643
Publication number (International publication number)：2004095895
Application date： Aug. 30, 2002
Publication date： Mar. 25, 2004
Summary：

【課題】高融点金属シリサイドだけでなくW、Moなどの金属からなる金属系遮光膜であっても、工程を追加することなくその表面を酸化して反射防止膜を形成可能とした固体撮像素子の製造方法の提供。【解決手段】ウエハ1の表層部に形成した受光センサ部2および転送電極7上に金属系遮光膜9を形成し、受光センサ部2上の金属系遮光膜9をエッチングにより開口した後、層間膜13を形成し、熱処理によりこの層間膜13にレンズ形状を形成する固体撮像素子の製造方法において、層間膜13を形成するチャンバ内に酸素ガス10およびオゾンガス11の雰囲気を構成し、層間膜13の成膜前に金属系遮光膜9の表面を酸化させ、反射防止膜12を形成する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

ウエハの表層部に形成した受光センサ部および転送電極上に金属系遮光膜を形成し、前記受光センサ部上の金属系遮光膜をエッチングにより開口した後、層間膜を形成し、熱処理によりこの層間膜にレンズ形状を形成する固体撮像素子の製造方法において、 前記層間膜を形成するチャンバ内に酸素ガスおよびオゾンガスのいずれかまたは両方の雰囲気を構成し、前記層間膜の成膜前に前記金属系遮光膜の表面を酸化させる ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L27/14 ,  H01L27/148

FI (2)：

H01L27/14 D ,  H01L27/14 B

F-Term (15)：

4M118AA09 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA02 ,  4M118CA34 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA34 ,  4M118GB03 ,  4M118GB11 ,  4M118GB18 ,  4M118GB19 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 固体撮像素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-021171   Applicant：ソニー株式会社
• 固体撮像素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-065366   Applicant：ソニー株式会社