半導体光素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999322264
Publication number (International publication number)：2001144377
Application date： Nov. 12, 1999
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】非半導体基板上に設けられた、1μm以上の発光波長を有し、結晶性良好な半導体光素子を提供すること。【解決手段】LiNbO3単結晶基板1等の非半導体基板上に、In、Ga及びAlからなる群から選ばれた少なくとも1種のIII族元素と、As及びPからなる群から選ばれた少なくとも1種のV族元素とを含む半導体レーザ10を設け、この非半導体基板と半導体レーザ10との間に、In、Ga、Al及びTlからなる群から選ばれた少なくとも1種のIII族元素と、N又はOとからなるバッファー層を設けた半導体光素子。

Claim (excerpt)：

非半導体基板上に、In、Ga及びAlからなる群から選ばれた少なくとも1種のIII族元素と、As及びPからなる群から選ばれた少なくとも1種のV族元素とを含む光素子を有し、上記非半導体基板と上記光素子との間に、In、Ga及びAlからなる群から選ばれた少なくとも1種のIII族元素と、N又はOとからなるバッファー層を有することを特徴とする半導体光素子。

IPC (3)：

H01S 5/323 , G02F 1/035 , H01L 33/00

FI (4)：

H01S 5/323 , G02F 1/035 , H01L 33/00 B , H01L 33/00 A

F-Term (26)：

2H079AA12 , 2H079BA03 , 2H079CA05 , 2H079DA03 , 2H079DA22 , 2H079EA03 , 2H079KA18 , 5F041AA11 , 5F041AA31 , 5F041AA40 , 5F041AA41 , 5F041AA47 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA39 , 5F041CA46 , 5F041EE25 , 5F041FF14 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073AB12 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB08 , 5F073DA05 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-192625 Applicant：株式会社東芝
半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-192075 Applicant：日本電気株式会社

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