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J-GLOBAL ID：200903026852744302

半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
大場 康夫

About 大場 康夫

, 
吉田 博昭

About 吉田 博昭


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997192625
Publication number (International publication number)：1999040893
Application date： Jul. 17, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：
【要約】【課題】 格子整合しない基板上にも高品質な高Al組成のAlGaN層を低歪みで形成することができ、短波長発光素子の素子特性の向上をはかる。【解決手段】 単結晶基板上にGaN系化合物半導体層を積層してなる半導体発光素子において、単結晶SiC基板101上に、AlNバッファ層103と、AlNよりも格子定数の大きいGaN格子歪み緩和層105を順に積層し、さらにGaN格子歪み緩和層105上にAlNよりも格子定数が大きくGaNよりも格子定数が小さいn型AlGaNコンタクト層107を積層した層構造を有し、かつGaN格子歪み緩和層105膜厚を0.01μmから0.5μmの間に設定した。
Claim (excerpt)：
単結晶基板上にGaN系化合物半導体層を積層してなる半導体発光素子において、前記単結晶基板上に、AlN,AlGaN,又はSiCからなりバッファ層として機能する第1の半導体層と、この第1の半導体層よりも格子定数の大きいGaN,GaInN,又はAlGaNからなり格子歪み緩和層として機能する第2の半導体層とを順に積層し、第2の半導体層上に第1の半導体層よりも格子定数が大きく第2の半導体層よりも格子定数が小さいAlGaN又はAlGaInNからなり素子形成層として機能する第3の半導体層を積層した層構造を有し、かつ第2の半導体層の膜厚を0.01μmから0.5μmの間に設定してなることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (11)
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Cited by examiner (11)
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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