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J-GLOBAL ID：200903049185957661

金属シリケート窒化膜の製造方法および半導体装置の製造方法

Inventor：
佐藤 尚之

About 佐藤 尚之


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004341605
Publication number (International publication number)：2006156516
Application date： Nov. 26, 2004
Publication date： Jun. 15, 2006
Summary：
【課題】原子層蒸着法を用い、シリコン原子の層、酸素原子の層、金属原子の層、窒素原子の層等を吸着させて金属シリケート窒化膜を形成することで、比誘電率および耐熱性の優れた高性能なキャパシタ絶縁膜を得ることを可能とする。【解決手段】原子層蒸着法を用いて、シリコン原子の層を形成するとともにシリコン原子の層上に酸素原子の層を形成する工程および金属原子の層を形成するととも金属原子の層上に酸素原子の層を形成する工程を行う第1成膜サイクルS2と、シリコン原子の層を形成するとともにシリコン原子の層上に窒素原子の層を形成する工程および金属原子の層を形成するととも金属原子の層上に窒素原子の層を形成する工程を行う第2成膜サイクルS3とを成膜の1サイクルとし、成膜の1サイクルを行った後に金属シリケート窒化膜の膜厚が所望の範囲内か否かを判定し、所望の膜厚になるまで、成膜の1サイクルを繰り返し行う。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
原子層蒸着法を用いて金属シリケート窒化膜を形成する金属シリケート窒化膜の製造方法であって、 シリコン原子の層を形成するとともにシリコン原子の層上に酸素原子の層を形成する工程および金属原子の層を形成するととも金属原子の層上に酸素原子の層を形成する工程のいずれも少なくとも一回以上行う第1成膜サイクルと、 シリコン原子の層を形成するとともにシリコン原子の層上に窒素原子の層を形成する工程および金属原子の層を形成するととも金属原子の層上に窒素原子の層を形成する工程のいずれも少なくとも一回以上行う第2成膜サイクルと を備えたことを特徴とする金属シリケート窒化膜の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/318 ,  C23C 16/42
FI (2)：
H01L21/318 M ,  C23C16/42
F-Term (24)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030BA10 ,  4K030BA40 ,  4K030BB12 ,  4K030EA03 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC09 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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