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J-GLOBAL ID：200903091414510451

原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法

Inventor：
平野 智之

About 平野 智之


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002117104
Publication number (International publication number)：2003318174
Application date： Apr. 19, 2002
Publication date： Nov. 07, 2003
Summary：
【要約】【課題】 比誘電率が高く、熱的に安定で結晶化し難い、膜特性の良好なゲート絶縁膜の形成に適用される原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法を提供する。【解決手段】 基板11上に原子層蒸着法を用いて薄膜を形成する方法であって、基板11の処理表面に金属原子の層を形成し(S104)、この金属原子の層上に酸素原子の層を形成する(S106)第1の工程と、基板の処理表面にシリコン原子の層を形成し(S108)、このシリコン原子の層上に酸素原子の層を形成する(S110)第2の工程とを有し、第1の工程および第2の工程のいずれかを先に行うことを特徴とする原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法である。
Claim (excerpt)：
基板上に原子層蒸着法を用いて薄膜を形成する方法であって、前記基板の処理表面に金属原子の層を形成し、この金属原子の層上に酸素原子の層を形成する第1の工程と、前記基板の処理表面にシリコン原子の層を形成し、このシリコン原子の層上に酸素原子の層を形成する第2の工程とを有し、前記第1の工程および前記第2の工程のいずれかを先に行うことを特徴とする原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法。
IPC (4)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/285 ,  H01L 29/78
FI (4)：
H01L 21/316 X ,  H01L 21/283 B ,  H01L 21/285 C ,  H01L 29/78 301 G
F-Term (27)：
4M104AA01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD22 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104GG08 ,  5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BE03 ,  5F058BF17 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ10 ,  5F140AA24 ,  5F140AA39 ,  5F140BD04 ,  5F140BD13 ,  5F140BD16 ,  5F140BE05 ,  5F140BE09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (10)
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