Pat
J-GLOBAL ID:200903091414510451
原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
船橋 國則
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002117104
Publication number (International publication number):2003318174
Application date: Apr. 19, 2002
Publication date: Nov. 07, 2003
Summary:
【要約】【課題】 比誘電率が高く、熱的に安定で結晶化し難い、膜特性の良好なゲート絶縁膜の形成に適用される原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法を提供する。【解決手段】 基板11上に原子層蒸着法を用いて薄膜を形成する方法であって、基板11の処理表面に金属原子の層を形成し(S104)、この金属原子の層上に酸素原子の層を形成する(S106)第1の工程と、基板の処理表面にシリコン原子の層を形成し(S108)、このシリコン原子の層上に酸素原子の層を形成する(S110)第2の工程とを有し、第1の工程および第2の工程のいずれかを先に行うことを特徴とする原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法である。
Claim (excerpt):
基板上に原子層蒸着法を用いて薄膜を形成する方法であって、前記基板の処理表面に金属原子の層を形成し、この金属原子の層上に酸素原子の層を形成する第1の工程と、前記基板の処理表面にシリコン原子の層を形成し、このシリコン原子の層上に酸素原子の層を形成する第2の工程とを有し、前記第1の工程および前記第2の工程のいずれかを先に行うことを特徴とする原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法。
IPC (4):
H01L 21/316
, H01L 21/283
, H01L 21/285
, H01L 29/78
FI (4):
H01L 21/316 X
, H01L 21/283 B
, H01L 21/285 C
, H01L 29/78 301 G
F-Term (27):
4M104AA01
, 4M104CC05
, 4M104DD22
, 4M104DD44
, 4M104DD45
, 4M104EE03
, 4M104EE14
, 4M104GG08
, 5F058BA01
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BC03
, 5F058BE03
, 5F058BF17
, 5F058BF24
, 5F058BF27
, 5F058BF62
, 5F058BF63
, 5F058BH04
, 5F058BJ10
, 5F140AA24
, 5F140AA39
, 5F140BD04
, 5F140BD13
, 5F140BD16
, 5F140BE05
, 5F140BE09
Patent cited by the Patent:
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誘電体界面被膜およびその方法
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Application number:特願2000-368569
Applicant:エイエスエムマイクロケミストリオーワイ
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Application number:特願2002-020962
Applicant:ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
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原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法
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Application number:特願2000-307849
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半導体装置の製造方法
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Application number:特願平7-312121
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薄膜形成方法
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Application number:特願2002-503921
Applicant:ジニテックインク.
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Application number:特願2001-385584
Applicant:ソニー株式会社
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Gazette classification:公表公報
Application number:特願2002-544761
Applicant:エーエスエムアメリカインコーポレイテッド
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-377102
Applicant:独立行政法人産業技術総合研究所
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Application number:特願2000-320000
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Application number:特願2001-385328
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