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J-GLOBAL ID：200903049260640059

磁気シールドおよびその製造方法

Inventor：
三好一富

About 三好一富

, 
和田克則

About 和田克則


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Agent (1)： 川和 高穂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001157089
Publication number (International publication number)：2002353528
Application date： May. 25, 2001
Publication date： Dec. 06, 2002
Summary：
【要約】【課題】 超電導体にMgB2を用いて、塗布法により超電導層を形成してシールドを製作する。【解決手段】 超電導体材料としてMgB2を用いて形成された超電導体層(10)と、前記超電導体層(10)が円周外側および側面に形成され、側面の一方の側が開口された円筒状の円筒枠(4)と、前記円筒枠(4)を覆うように固着され、側面の一方の側が開口した円筒状であり、冷媒の注入口(7)と冷媒の放出口(8)が設けられたカバー(5)と、前記円筒枠(4)に固着された前記カバー(5)とで円筒二重構造に形成された容器(6)と、前記容器(6)を内側に配設し、側面の一方の側が開口した円筒二重構造に形成され、真空断熱層(3)を備えた外周容器(2)とで構成されたシールドである。
Claim (excerpt)：
以下の部材で構成されたことを特徴とするシールド。(a) 超電導体材料としてMgB2を用いて形成された超電導体層(10)と、(b) 前記超電導体層(10)が円周外側および側面に形成され、側面の一方の側が開口された円筒状の円筒枠(4)と、(c) 前記円筒枠(4)を覆うように固着され、側面の一方の側が開口した円筒状であり、冷媒の注入口(7)と冷媒の放出口(8)が設けられたカバー(5)と、(d) 前記円筒枠(4)に固着された前記カバー(5)とで円筒二重構造に形成された容器(6)と、(e) 前記容器(6)を内側に配設し、側面の一方の側が開口した円筒二重構造に形成され、真空断熱層(3)を備えた外周容器(2)。
IPC (5)：
H01L 39/04 ZAA ,  H01L 39/00 ,  H05K 9/00 ,  A61B 5/05 ,  G01N 27/72
FI (5)：
H01L 39/04 ZAA ,  H01L 39/00 S ,  H05K 9/00 J ,  A61B 5/05 A ,  G01N 27/72
F-Term (24)：
2G053BA08 ,  2G053DB11 ,  4C027AA10 ,  4C027CC01 ,  4M113AD36 ,  4M113AD45 ,  4M113BA23 ,  4M113BA28 ,  4M113CA11 ,  4M114AA22 ,  4M114AA28 ,  4M114AA29 ,  4M114DA02 ,  4M114DA07 ,  4M114DA09 ,  4M114DA13 ,  4M114DA15 ,  4M114DA17 ,  4M114DA52 ,  4M114DA53 ,  5E321AA01 ,  5E321BB23 ,  5E321BB53 ,  5E321GG07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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