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J-GLOBAL ID:200903049278195800

ポリイミド樹脂表面への導電性皮膜の形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中村 稔 (外10名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999247667
Publication number (International publication number):2001073159
Application date: Sep. 01, 1999
Publication date: Mar. 21, 2001
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 作業環境に優れ、接着剤を使用することなく、ポリイミド樹脂表面に優れた密着力を有する導電性皮膜又はそのパターンを形成できる方法を提供する。【解決手段】 ポリイミド樹脂表面に導電性皮膜を形成する方法であって、以下の工程:(1)ポリイミド樹脂表面をアルカリ水溶液で処理して、前記ポリイミド樹脂のイミド環を開環してカルボキシル基を生成する工程、(2)前記カルボキシル基を中和する工程、(3)前記カルボキシル基を、銅又はパラジウム溶液で処理することにより、前記カルボキシル基の銅又はパラジウム塩を生成する工程、及び(4)前記銅又はパラジウム塩を還元して、前記ポリイミド樹脂表面に前記銅又はパラジウム金属の皮膜を形成する工程から構成される。
Claim (excerpt):
ポリイミド樹脂表面に銅又はパラジウムからなる導電性皮膜を形成する方法であって、以下の工程:(1)ポリイミド樹脂表面をアルカリ水溶液で処理して、前記ポリイミド樹脂のイミド環を開環してカルボキシル基を生成する工程、(2)前記カルボキシル基を中和する工程、(3)前記カルボキシル基を、銅又はパラジウム溶液で処理することにより、前記カルボキシル基の銅又はパラジウム塩を生成する工程、及び(4)前記銅又はパラジウム塩を還元して、前記ポリイミド樹脂表面に前記銅又はパラジウム金属の皮膜を形成する工程、を含有することを特徴とする方法。
IPC (5):
C23C 18/28 ,  C08J 7/04 CFG ,  C23C 18/40 ,  C23C 18/44 ,  C08L 79:08
FI (4):
C23C 18/28 A ,  C08J 7/04 CFG D ,  C23C 18/40 ,  C23C 18/44
F-Term (19):
4F006AA39 ,  4F006AB73 ,  4F006BA07 ,  4F006CA08 ,  4F006DA04 ,  4K022AA15 ,  4K022AA42 ,  4K022BA08 ,  4K022BA18 ,  4K022BA35 ,  4K022CA04 ,  4K022CA06 ,  4K022CA08 ,  4K022CA12 ,  4K022CA16 ,  4K022DA01 ,  4K022DB02 ,  4K022DB03 ,  4K022DB04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
  • 二層TABの製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-322955   Applicant:住友金属鉱山株式会社
  • ポリイミド基板の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-134947   Applicant:東レエンジニアリング株式会社, レイテック株式会社
  • 2層TABの製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-013181   Applicant:住友金属鉱山株式会社
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