炭化珪素単結晶の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：広瀬章一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006087076
Publication number (International publication number)：2007261843
Application date： Mar. 28, 2006
Publication date： Oct. 11, 2007
Summary：

【課題】良質なSiC単結晶を高い成長速度で製造する。【解決手段】SiC成長用の種結晶基板4を融液6に接触させ、少なくとも前記種結晶基板周辺において前記融液の過冷却により融液に溶解しているSiCを過飽和状態とすることによって前記種結晶基板上にSiC単結晶を成長させる液相成長法において、前記融液が(1)SiとCとV、または(2)SiとCとVとTiを含む。融液中のVの量は、SiとVの原子比を[V]/[Si]+[V]なる式で表して、0.1≦[V]/[Si]+[V]≦0.45を満たし、融液がさらにTiを含む場合のTiの量は、SiとTiの原子比を[Ti]/[Si]+[Ti]なる式で表して、0.1≦[Ti]/[Si]+[Ti]≦0.25を満たす。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

SiとCとVとを含み、SiとVの原子比が、[V]/([Si]+[V])なる式で表して、0.1≦[V]/([Si]+[V])≦0.45の関係を満たす融液に、SiC成長用の種結晶基板を接触させ、少なくとも前記種結晶基板周辺において前記融液の過冷却により融液に溶解しているSiCを過飽和状態とすることによって、前記種結晶基板上にSiC単結晶を成長させる、SiC単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 , C30B 19/04

FI (2)：

C30B29/36 A , C30B19/04

F-Term (13)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077CG02 , 4G077CG07 , 4G077EC08 , 4G077EJ09 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077QA04 , 4G077QA12 , 4G077QA26

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-072033 Applicant：株式会社日立製作所
炭化珪素単結晶とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-105567 Applicant：住友金属工業株式会社
炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-164061 Applicant：住友金属工業株式会社

Cited by examiner (2)

炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-072033 Applicant：株式会社日立製作所
炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-164061 Applicant：住友金属工業株式会社

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