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J-GLOBAL ID：200903049403459539

立体選択的合成プロセスにおけるケイ素成分の回収方法

Inventor：
小林 修

About 小林 修

, 
秋山 良

About 秋山 良

, 
磯田 武寿

About 磯田 武寿


Applicant, Patent owner：
独立行政法人科学技術振興機構

About 独立行政法人科学技術振興機構


Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005024585
Publication number (International publication number)：2006206552
Application date： Jan. 31, 2005
Publication date： Aug. 10, 2006
Summary：
【課題】アルデヒドとケイ素エノラートのアルドール反応により副生するケイ素成分を定量的に回収する手法を提供する。【解決手段】アルデヒドとケイ素エノラートのアルドール反応による立体選択的合成プロセスにおけるケイ素成分の回収方法であって、以下のステップ含むことを特徴とするケイ素成分の回収方法。 ステップ1:キラルリガンドの存在下、原料アルデヒドと原料ケイ素エノラート組成物〔一般式:Ra3Si-O-X(Raは、アルキル基を示し、Xは任意の置換基を示す)〕をアルドール反応させ立体選択的合成を行うステップ、 ステップ2:ステップ1の反応液を蒸留し、蒸留液として溶媒とともにケイ素成分を分離するステップ、および、 ステップ3:ステップ2の蒸留液を濃硫酸で処理し、生成ケイ素エーテル組成物〔一般式:(Ra3Si)2O(式中のRaは、前記のものを示す)〕を得ると同時に、精密蒸留によりケイ素成分を回収するステップ。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
アルデヒドとケイ素エノラートのアルドール反応による立体選択的合成プロセスにおけるケイ素成分の回収方法であって、以下のステップ含むことを特徴とするケイ素成分の回収方法。 ステップ1:キラルリガンドの存在下、原料アルデヒドと原料ケイ素エノラート組成物〔一般式:Ra3Si-O-X(Raは、アルキル基を示し、Xは任意の置換基を示す)〕をアルドール反応させ立体選択的合成を行うステップ、 ステップ2:ステップ1の反応液を蒸留し、蒸留液として溶媒とともにケイ素成分を分離するステップ、および、 ステップ3:ステップ2の蒸留液を濃硫酸で処理し、生成ケイ素エーテル組成物〔一般式:(Ra3Si)2O(式中のRaは、前記のものを示す)〕を得ると同時に、溶媒の沸点と生成ケイ素エーテル組成物の沸点の違いを利用して、精密蒸留によりケイ素成分を回収するステップ。
IPC (2)：
C07C 231/00 ,  C07C 233/47
FI (2)：
C07C231/00 ,  C07C233/47
F-Term (18)：
4H006AA02 ,  4H006AC41 ,  4H006AC48 ,  4H006AC53 ,  4H006AC81 ,  4H006AD11 ,  4H006BJ50 ,  4H006BM10 ,  4H006BM30 ,  4H006BM71 ,  4H006BM72 ,  4H006BN10 ,  4H006BT12 ,  4H006BV22 ,  4H039CA60 ,  4H039CA66 ,  4H039CA71 ,  4H039CF40
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)
  • 実験化学講座24 有機合成IV-ヘテロ元素・典型金属元素化合物-, 20000410, 第4版, 150頁

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