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J-GLOBAL ID：200903049416645293

半導体素子およびその製造方法

Inventor：
林 伸彦

About 林 伸彦

, 
山口 勤

About 山口 勤


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999367299
Publication number (International publication number)：2001185802
Application date： Dec. 24, 1999
Publication date： Jul. 06, 2001
Summary：
【要約】【課題】 絶縁膜の剥離が防止され高い歩留りで製造可能な半導体素子を提供することである。【解決手段】 半導体レーザ素子100は、サファイア基板1上にバッファ層2、アンドープGaN層3、n-GaN第1コンタクト層4、n-AlGaN第1クラッド層5、発光層6、p-AlGaN第2クラッド層7、p-GaN第2コンタクト層8が順に形成されてなる。p-GaN第2コンタクト層8およびp-AlGaN第2クラッド層7から構成されるリッジ部が形成されるとともに、p-AlGaN第2クラッド層7の平坦部からn-GaN第1コンタクト層4までの一部領域がエッチングされ段差部50が形成されている。段差部50の側面には矩形状の断面を有するストライプ状の凹部および凸部が形成され、凹部内および凸部上にSiO2 膜20が形成されている。
Claim (excerpt)：
底面および側面を有する段差部を備えたIII 族窒化物系半導体層が基板上に形成され、前記III 族窒化物系半導体層の段差部の側面に規則的または不規則的な凹凸パターンが形成され、前記段差部の側面を含む前記III 族窒化物系半導体層の所定領域上に絶縁膜が形成されたことを特徴とする半導体素子。
IPC (2)：
H01S 5/042 610 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01S 5/042 610 ,  H01L 21/205
F-Term (18)：
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AF07 ,  5F045AF09 ,  5F045BB17 ,  5F045CA09 ,  5F045CA12 ,  5F045DA51 ,  5F045DA53 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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